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DRAM供过于求，Q2价格继续下调

PC、笔电、智慧型手机等产品需求面，近期受乌俄与高通膨影响，消费者购买力削弱，研调机构TrendForce预估，第2季整体DRAM均价跌幅约0~5%，目前仅伺服器为主要支撑记忆体需求来源，整体第2季DRAM仍存在供过于求情形。

TrendForce表示，在PC的DRAM方面，受乌俄影响，引发PC代工厂对第2季订单采取保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单，进而下修今年的出货目标，但整体供给位仍增长，因此第2季PC应用的DRAM价格跌幅应会再扩大至3%~8%，且可能会进一步恶化。

伺服器DRAM方面，TrendForce指出，伺服器DRAM属长料，库存水位与季大致持平，但价格跌幅可望随旺季备货潮收敛至0~5%。

而受高通膨、各国疫情变化及乌俄等诸多因素影响，不排除智慧型手机生产量可能持续下修，预估第2季供过于求将持续，跌幅约0~5%。

绘图（Graphics）DRAM方面，近几个月虚拟货币价格疲弱，显卡需求逐渐开始松动，但厂商要将规格转换尚待时间发酵，预估第2季价格将转为上涨0~5%。

消费型DRAM因来自特定产品如WiFi 6、5G基地台等对DDR3需求持续强劲，三星、SK海力士已逐步减产DDR3，因此TrendForce预期，DDR3第2季价格将上涨3~8%；DDR4则仍维持跌势。

栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管

“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”

IC Insights报告：

英飞凌掉出0半导体企业

根据市场研究及调查机构《IC INSIGHTS》的研究报告显示，在不包含纯晶圆代工厂的情况之下，2021年前50大半导体供应商占半导体市场营收6,146 亿美元的89%，比2010年公司的81%占比增加了8个百分点。

其中，、以及十五大的半导体供应商在2021年半导体市场营收占比，分别较2010年增加了8、9、和11个百分点。而随著未来几年预计会有更多的并购，《IC Insights》认为，合并的结果可能将推升供应商的占比达到更高的水准。